Флеш-память Intel в формате 3D NAND

Компания Intel на очередном мероприятии инвесторов предложила новую разработку — флеш-память выполненную по технологии в формате 3D NAND, которая, возможно, многое изменит в подходах к хранению данных. Было время, этими технологиями небезуспешно занимался Samsung и имеет в этой сфере некоторые наработки, но сейчас уже Intel, совместно с Micron планируют наладить выпуск многослойной памяти 3D NAND не позднее, чем к концу следующего года. Ожидается, что сначала появятся чипы на 384 Гб и 256 Гб.

Изображение: 120214_1229_Intel1 Флеш-память Intel в формате 3D NAND

По заверениям фирмы Intel, новый вид флеш-памяти 3D NAND станет наиболее емким, благодаря высокой плотности электронной начинки кристалла. Для сравнения Samsung пока получил 128 Гб чипы, но сравнение относительное, так как с увеличением слоев можно добиться до 170 Гб емкости памяти. И еще, концептуальная разработка Intel и Samsung ведется в несколько разных плоскостях, а поэтому сравнение технологии 3D NAND с конкурентными проектами будет не совсем неуместным.

Есть сведения, что Intel при проектировании перспективной памяти типа 3D NAND применена нанотехнология от 30 до 40 нм. Со слов разработчиков, энергонезависимая память созданная по новой технологии, позволит выпускать твердотельные накопители SSD с объемом до 10 ТБ, способными заменить HDD диски. Сегодня на рынке предлагаются флэш накопители Intel с емкостью до 2 ТБ.

Это интересно:

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *