Китайская SMIC начала 14-нм печать FinFET

Ожидалось, что SMIC, крупнейший контрактный производитель полупроводниковых чипов в Китае, приступит к массовому 14-нм производству чипов FinFET до середины текущего года. Но компания сообщила, что пока приступила только к рисковому производству и начнёт коммерческое на своих мощностях до конца года.

Изображение: kitajskaya-smic-nachala-riskovuyu-14-nm-pechat-finfet-a-kommercheskuyu-zapustit-k-kontsu-goda Китайская SMIC начала 14-нм печать FinFET

Согласно SMIC, их 14-нм нормы FinFET были разработаны полностью собственными силами и, как ожидается, позволят значительно увеличить плотность транзисторов, нарастить производительность и снизить энергопотребление по сравнению с кристаллами, выпускавшимися с соблюдением самых продвинутых 28-нм норм компании. Ожидалось, что SMIC начнёт производство 14-нм чипов уже в первой половине 2019 года, но компания несколько отстаёт от графика.

Любопытно, что SMIC заявила, будто её 14-нм нормы FinFET внесут значительный вклад в общий объём доходов уже к концу текущего года. Однако в настоящее время SMIC имеет только две относительно небольшие 300-мм HVM-фабрики (в настоящее время используются для печати 28–65-нм чипов), которые загружены и приносят 40–49 % выручки компании. Поэтому трудно представить, что SMIC сможет начать массовые отгрузки 14-нм кристаллов в 2019 году.

Долгосрочные планы SMIC включают освоение 10-нм и 7-нм норм. Ожидается, что последний потребует использования фотолитографии в глубоком ультрафиолетовом диапазоне, поэтому в прошлом году SMIC приобрела сканер EUV у ASML за $120 млн и должна была получить это оборудование в 2019 году.

Кстати, SMIC — не единственная китайская компания, которая готовится к началу массового 14-нм производства с транзисторами FinFET. Шанхайская компания Huali Microelectronics (HLMC) станет второй в 2020 году — об этом на открытии выставки SEMICON China 2019 сообщил вице-президент HLMC по исследованиям и разработкам Шао Хуа (Shao Hua).

Это интересно:

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *