Samsung создал первую 10-нм DRAM третьего поколения

Компьютерные системы Новости

Производитель электроники Samsung объявил, что компания создала первую в мире 8-гигабитную оперативную память, построенную на 10 нанометровом техпроцессе (1z-nm). Память третьего поколения DRAM (DDR4) обладает удвоенной скоростью передачи данных.

Массовое производство 1 Гц DDR4 1 Гц начнется во второй половине этого года для размещения корпоративных серверов следующего поколения и высокопроизводительных ПК, которые, как ожидается, будут запущены в 2020 году.

Изображение: 032319_0359_Samsung1 Samsung создал первую 10-нм DRAM третьего поколения

Создание инженерами Samsung 1-нм DRAM открывает новые возможности для глобального ускоренного перехода компьютерного оборудования на интерфейсы DRAM нового поколения, такие как GDDR6, DDR5 и LPDDR5.

Samsung планирует активно сотрудничать со всеми мировыми заказчиками, после окончания тестирования ЦП с модулями DDR4 объемом 8 ГБ, чтобы предложить им много новых решений с применением такой памяти.

Учитывая текущие отраслевые потребности, компания Samsung будет увеличить долю производства своей основной памяти, одновременно налаживая контакты со своими IT-клиентами, чтобы обеспечить увеличивающиеся запросы на самые передовые варианты DRAM.

Разрабатывая новую серию DRAM 1z-nm, Samsung заинтересован оказывать поддержку своих компаньонов по всему миру в их внедрении передовых систем, предлагая на рынке новые типы памяти высокого класса.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *